• info@matltech.com
  • Pusat Global E2-1-1011, No.1700 Tianfu Avenue North, Chengdu 610041, Tiongkok.
English
wmk_product_02
Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2
  • Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2

Kadmium Arsenida Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Keterangan

Kadmium Arsenida Cd3As25N 99,999%,warna abu-abu gelap, dengan kepadatan 6.211g/cm3, titik leleh 721°C, molekul 487,04, CAS12006-15-4, larut dalam asam nitrat HNO3 dan stabilitas di udara, adalah bahan senyawa yang disintesis dari kadmium dan arsenik dengan kemurnian tinggi.Kadmium Arsenida adalah semimetal anorganik dalam keluarga II-V dan menunjukkan Efek Nernst.Kristal Cadmium Arsenide yang ditumbuhkan dengan metode pertumbuhan Bridgman, struktur semimetal Dirac curah non-layered, adalah semikonduktor tipe II-V yang mengalami degenerasi atau semikonduktor celah sempit dengan mobilitas pembawa tinggi, massa efektif rendah, dan konduksi sangat non-parabola pita.Kadmium Arsenida Cd3As2 atau CdAs adalah padatan kristal dan semakin banyak digunakan dalam semikonduktor dan bidang foto optik seperti pada detektor inframerah menggunakan efek Nernst, pada sensor tekanan dinamis film tipis, laser, LED dioda pemancar cahaya, titik kuantum, hingga membuat magnetoresistor dan fotodetektor.Senyawa arsenida dari Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3temukan lebih banyak aplikasi sebagai bahan elektrolit, bahan semikonduktor, tampilan QLED, bidang IC dan bidang bahan lainnya.

Pengiriman

Kadmium Arsenida Cd3As2dan Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3di Western Minmetals (SC) Corporation dengan kemurnian 99,99% 4N dan 99,999% 5N berukuran mikropowder polikristalin -60mesh, -80mesh, nanopartikel, benjolan 1-20mm, butiran 1-6mm, bongkahan, blanko, kristal curah dan kristal tunggal dll ., atau sebagai spesifikasi khusus untuk mencapai solusi sempurna.


rincian

Tag

Spesifikasi teknis

Senyawa Arsenida

Senyawa Arsenida terutama mengacu pada unsur-unsur logam dan senyawa metaloid, yang memiliki komposisi stoikiometrik yang berubah dalam kisaran tertentu untuk membentuk larutan padat berbasis senyawa.Senyawa antar-logam memiliki sifat yang sangat baik antara logam dan keramik, dan menjadi cabang penting dari bahan struktural baru.Selain Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3juga dapat disintesis dalam bentuk bubuk, granul, gumpalan, batangan, kristal dan substrat.

Kadmium Arsenida Cd3As2dan Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs dan Niobium Arsenide NbAs atau Nb5As3di Western Minmetals (SC) Corporation dengan kemurnian 99,99% 4N dan 99,999% 5N berukuran mikropowder polikristalin -60mesh, -80mesh, nanopartikel, benjolan 1-20mm, butiran 1-6mm, bongkahan, blanko, kristal curah dan kristal tunggal dll ., atau sebagai spesifikasi khusus untuk mencapai solusi sempurna.

CM-W2

GaAs-W3

Tidak.

Barang

Spesifikasi Standar

Kemurnian

Masing-masing PPM Pengotor Maks

Ukuran

1

Kadmium ArsenidaCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0

-60mesh -80mesh bubuk, benjolan 1-20mm, butiran 1-6mm

2

Gallium Arsenide GaAs

5N 6N 7N

 Komposisi GaAs tersedia berdasarkan permintaan

3

Niobium Arsenide NbAs

3N5

 Komposisi NbAs tersedia berdasarkan permintaan

4

Indium Arsenide InAs

5N 6N

 Komposisi InAs tersedia berdasarkan permintaan

5

Sedang mengemas

500g atau 1000g dalam botol polietilen atau tas komposit, kotak karton di luar;

Gallium Arsenida

GaAs

galium arsenida gaas, bahan semikonduktor celah langsung senyawa III–V dengan struktur kristal campuran seng, disintesis oleh elemen galium dan arsenik dengan kemurnian tinggi, dan dapat diiris dan dibuat menjadi wafer dan blanko dari ingot kristal tunggal yang ditumbuhkan dengan metode Vertical Gradient Freeze (VGF) .Berkat mobilitas aula yang jenuh dan stabilitas daya & suhu yang tinggi, komponen RF, IC microwave & perangkat LED yang dibuat olehnya semuanya mencapai kinerja hebat dalam adegan komunikasi frekuensi tinggi.Sementara itu, efisiensi transmisi sinar UV juga memungkinkannya menjadi bahan dasar yang terbukti dalam industri Fotovoltaik.Wafer Gallium Arsenide GaAs di Western Minmetals (SC) Corporation dapat dikirim dengan diameter hingga 6" atau 150mm dengan kemurnian 6N 7N, dan substrat grade mekanis Gallium Arsenide juga tersedia. Sementara itu, batang polikristalin Gallium Arsenide, gumpalan dan butiran dll dengan kemurnian dari 99,999% 5N, 99,9999% 6N, 99,999999% 7N yang disediakan dari Western Minmetals (SC) Corporation juga tersedia atau sebagai spesifikasi khusus berdasarkan permintaan.

Indium Arsenida

InAs

Indium Arsenide InAs, semikonduktor celah pita langsung yang mengkristal dalam struktur campuran seng, senyawa dengan elemen indium dan arsenik dengan kemurnian tinggi, ditumbuhkan dengan metode Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), dapat diiris dan dibuat menjadi wafer dari ingot kristal tunggal.Karena kepadatan dislokasi yang rendah tetapi kisi konstan, InAs adalah substrat yang ideal untuk lebih mendukung struktur InAsSb, InAsPSb & InNASSb yang heterogen, atau struktur superlattice AlGaSb.Oleh karena itu, ia memainkan peran penting dalam fabrikasi perangkat pemancar inframerah rentang gelombang 2-14 m.Selain itu, mobilitas hall tertinggi tetapi celah pita energi sempit dari InAs juga memungkinkannya menjadi substrat yang bagus untuk komponen hall atau manufaktur perangkat laser & radiasi lainnya.Indium Arsenide InAs di Western Minmetals (SC) Corporation dengan kemurnian 99,99% 4N, 99,999% 5N, 99,9999% 6N dapat dikirimkan dalam substrat berdiameter 2" 3" 4". Sementara itu, gumpalan polikristalin Indium Arsenide di Western Minmetals (SC) ) Perusahaan juga tersedia atau sebagai spesifikasi khusus berdasarkan permintaan.

Niobium Arsenida

NbAs-2

Niobium Arsenida Nb5As3 or NbAs,padatan kristal putih atau abu-abu, CAS No.12255-08-2, berat formula 653.327 Nb5As3dan 167,828 NbAs, adalah senyawa biner Niobium dan Arsenik dengan komposisi NbAs,Nb5As3, NbAs4 ...dll disintesis dengan metode CVD, garam padat ini memiliki energi kisi yang sangat tinggi dan beracun karena toksisitas arsenik yang melekat.Analisis termal suhu tinggi menunjukkan NdAs menunjukkan penguapan arsenik pada pemanasan. Niobium Arsenide, semimetal Weyl, adalah jenis semikonduktor dan bahan fotolistrik dalam aplikasi untuk semikonduktor, foto optik, dioda pemancar cahaya laser, titik kuantum, sensor optik dan tekanan, sebagai perantara, dan untuk membuat superkonduktor dll. Niobium Arsenide Nb5As3atau NbAs di Western Minmetals (SC) Corporation dengan kemurnian 99,99% 4N dapat dikirim dalam bentuk bubuk, butiran, gumpalan, target dan kristal curah dll atau sebagai spesifikasi khusus, yang harus disimpan dalam wadah tertutup rapat, tahan cahaya , tempat yang kering dan sejuk.

Tips Pengadaan

  • Sampel Tersedia Atas Permintaan
  • Pengiriman Barang Aman Melalui Kurir/Udara/Laut
  • Manajemen Mutu COA/COC
  • Pengemasan Aman & Nyaman
  • Pengemasan Standar PBB Tersedia Atas Permintaan
  • Bersertifikat ISO9001: 2015
  • Ketentuan CPT/CIP/FOB/CFR Oleh Incoterms 2010
  • Ketentuan Pembayaran Fleksibel T/TD/PL/C Dapat Diterima
  • Layanan Purna Jual Dimensi Penuh
  • Inspeksi Kualitas Dengan Fasilitas Tercanggih
  • Persetujuan Peraturan Rohs/REACH
  • Perjanjian Non-Pengungkapan NDA
  • Kebijakan Mineral Non-Konflik
  • Tinjauan Pengelolaan Lingkungan Reguler
  • Pemenuhan Tanggung Jawab Sosial

Cd2As3 Nb2As3GaAs InAs

  • Sebelumnya:
  • Lanjut:

    • Produk-produk terkait

    Tekan Enter untuk mencari atau Esc untuk menutup
    Kode QR