Indium Arsenide InAs

Keterangan

Indium arsenide Kristal InAs adalah senyawa semikonduktor golongan III-V yang disintesis oleh unsur Indium dan Arsenik murni minimal 6N 7N dan ditumbuhkan kristal tunggal dengan proses VGF atau Liquid Encapsulated Czochralski ( LEC ), kenampakan warna abu-abu, kristal kubik dengan struktur zinc-blende , titik leleh 942 °C.Celah pita indium arsenide adalah transisi langsung yang identik dengan galium arsenida, dan lebar pita terlarang adalah 0,45eV (300K).Kristal InAs memiliki keseragaman parameter listrik yang tinggi, kisi konstan, mobilitas elektron yang tinggi, dan kerapatan cacat yang rendah.Kristal InAs silindris yang ditanam oleh VGF atau LEC dapat diiris dan dibuat menjadi wafer as-cut, etsa, poles, atau epi-siap untuk pertumbuhan epitaksi MBE atau MOCVD.

Aplikasi

Wafer kristal indium arsenida adalah substrat yang bagus untuk membuat perangkat Hall dan sensor medan magnet untuk mobilitas hall tertinggi tetapi celah pita energi sempit, bahan yang ideal untuk konstruksi detektor inframerah dengan rentang panjang gelombang 1-3,8 m yang digunakan dalam aplikasi daya yang lebih tinggi pada suhu kamar, serta laser super kisi inframerah panjang gelombang menengah, fabrikasi perangkat LED inframerah pertengahan untuk rentang panjang gelombang 2-14 m.Selain itu, InAs adalah substrat yang ideal untuk lebih mendukung struktur super kisi InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNASSb atau AlGaSb yang heterogen, dll.

Kirim sekarang

rincian

Tag

Spesifikasi teknis

Indium Arsenida

Dalam As

Wafer Kristal Indium Arsenidaadalah substrat yang bagus untuk membuat perangkat Hall dan sensor medan magnet untuk mobilitas hall tertinggi tetapi celah pita energi sempit, bahan yang ideal untuk konstruksi detektor inframerah dengan rentang panjang gelombang 1–3,8 m yang digunakan dalam aplikasi daya tinggi pada suhu kamar, serta laser super kisi inframerah panjang gelombang menengah, fabrikasi perangkat LED inframerah pertengahan untuk rentang panjang gelombang 2-14 m.Selain itu, InAs adalah substrat yang ideal untuk lebih mendukung struktur super kisi InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNASSb atau AlGaSb yang heterogen, dll.

Tidak.	item	Spesifikasi Standar
1	Ukuran	2"	3"	4"
2	Diameter mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0,5
3	Metode Pertumbuhan	LEC	LEC	LEC
4	Daya konduksi	Tipe-P/Zn-doped, N-type/S-doped, Un-doped
5	Orientasi	(100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6	Ketebalan m	500±25	600±25	800±25
7	Orientasi Datar mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikasi Datar mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilitas cm2/Vs	60-300, 2000 atau sesuai kebutuhan
10	Konsentrasi Pembawa cm-3	(3-80)E17 atau 5E16
11	TTV m maks	10	10	10
12	Busur m maks	10	10	10
13	Warp m maks	15	15	15
14	Dislokasi Kepadatan cm-2 maks	1000	2000	5000
15	Permukaan Selesai	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Sedang mengemas	Wafer wafer tunggal disegel dalam tas Aluminium.

Rumus Linier	Dalam As
Berat molekul	189,74
Struktur kristal	Campuran seng
Penampilan	Padatan kristal abu-abu
Titik lebur	(936-942)°C
Titik didih	T/A
Kepadatan pada 300K	5,67 g/cm³
Kesenjangan Energi	0,354 eV
Resistivitas intrinsik	0,16 -cm
Nomor CAS	1303-11-3
Nomor EC	215-115-3

Indium Arsenide InAsdi Western Minmetals (SC) Corporation dapat disuplai sebagai gumpalan polikristalin atau kristal tunggal as-cut, etsa, poles, atau wafer siap-epi dalam ukuran diameter 2” 3” dan 4” (50mm, 75mm, 100mm), dan konduktivitas tipe-p, tipe-n atau tanpa doping dan orientasi <111> atau <100>.Spesifikasi yang disesuaikan adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.