Silikon Karbida SiC

Keterangan

Silicon Carbide Wafer SiC, sangat keras, senyawa kristal silikon dan karbon yang diproduksi secara sintetis dengan metode MOCVD, dan menunjukkancelah pita lebar yang unik dan karakteristik menguntungkan lainnya dari koefisien ekspansi termal yang rendah, suhu operasi yang lebih tinggi, pembuangan panas yang baik, switching dan kerugian konduksi yang lebih rendah, lebih hemat energi, konduktivitas termal yang tinggi dan kekuatan kerusakan medan listrik yang lebih kuat, serta arus yang lebih terkonsentrasi kondisi.Silicon Carbide SiC di Western Minmetals (SC) Corporation dapat disediakan dalam ukuran diameter 2″ 3' 4” dan 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm), dengan wafer tipe-n, semi-insulasi atau dummy untuk industri dan aplikasi laboratorium. Setiap spesifikasi khusus adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.

Aplikasi

Wafer Silicon Carbide SiC 4H/6H berkualitas tinggi sangat cocok untuk pembuatan banyak perangkat elektronik cepat, bersuhu tinggi & bertegangan tinggi yang canggih seperti dioda Schottky & SBD, MOSFET & JFET switching daya tinggi, dll. juga bahan yang diinginkan dalam penelitian & pengembangan transistor dan thyristor bipolar gerbang terisolasi.Sebagai bahan semikonduktor generasi baru yang luar biasa, wafer Silicon Carbide SiC juga berfungsi sebagai penyebar panas yang efisien dalam komponen LED berdaya tinggi, atau sebagai substrat yang stabil dan populer untuk menumbuhkan lapisan GaN demi eksplorasi ilmiah yang ditargetkan di masa depan.

Kirim sekarang

rincian

Tag

Spesifikasi teknis

Silikon Karbida SiC

Silikon Karbida SiCdi Western Minmetals (SC) Corporation dapat disediakan dalam ukuran diameter 2″ 3' 4” dan 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm), dengan wafer tipe-n, semi-insulasi atau dummy untuk aplikasi industri dan laboratorium .Setiap spesifikasi khusus adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.

Rumus Linier	SiC
Berat molekul	40.1
Struktur kristal	Wurtzit
Penampilan	Padat
Titik lebur	3103±40K
Titik didih	T/A
Kepadatan pada 300K	3,21 g/cm³
Kesenjangan Energi	(3.00-3.23) eV
Resistivitas intrinsik	>1E5 -cm
Nomor CAS	409-21-2
Nomor EC	206-991-8

Tidak.	item	Spesifikasi Standar
1	Ukuran SiC	2"	3"	4"	6"
2	Diameter mm	50.8 0.38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Metode Pertumbuhan	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Jenis Konduktivitas	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Resistivitas -cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientasi	0°±0.5°;4,0° menuju <1120>
7	Ketebalan m	330±25	330±25	(350-500) ± 25	(350-500) ± 25
8	Lokasi Flat Utama	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Panjang Datar Primer mm	16±1.7	22.2±3.2	32,5±2	47,5 ± 2,5
10	Lokasi Flat Sekunder	Silikon menghadap ke atas: 90°, searah jarum jam dari prime flat ±5.0°
11	Panjang Datar Sekunder mm	8±1,7	11.2±1.5	18±2	22±2,5
12	TTV m maks	15	15	15	15
13	Busur m maks	40	40	40	40
14	Warp m maks	60	60	60	60
15	Pengecualian Tepi mm maks	1	2	3	3
16	Kepadatan pipa mikro cm-2	<5, industri;<15, laboratorium;<50, bodoh
17	Dislokasi cm-2	<3000, industri;<20000, laboratorium;<500.000, bodoh
18	Kekasaran Permukaan nm maks	1 (Dipoles), 0,5 (CMP)
19	retak	Tidak ada, untuk kelas industri
20	Pelat Heksagonal	Tidak ada, untuk kelas industri
21	Goresan	3mm, panjang total kurang dari diameter substrat
22	Keripik Tepi	Tidak ada, untuk kelas industri
23	Sedang mengemas	Wafer wafer tunggal disegel dalam tas komposit aluminium.

Silikon Karbida SiC 4H/6Hwafer berkualitas tinggi sangat cocok untuk pembuatan banyak perangkat elektronik cepat, suhu tinggi & tegangan tinggi yang canggih seperti dioda Schottky & SBD, MOSFET & JFET switching daya tinggi, dll. Ini juga merupakan bahan yang diinginkan di penelitian & pengembangan transistor dan thyristor bipolar gerbang terisolasi.Sebagai bahan semikonduktor generasi baru yang luar biasa, wafer Silicon Carbide SiC juga berfungsi sebagai penyebar panas yang efisien dalam komponen LED berdaya tinggi, atau sebagai substrat yang stabil dan populer untuk menumbuhkan lapisan GaN demi eksplorasi ilmiah yang ditargetkan di masa depan.