Gallium Nitrida GaN

Keterangan

Gallium Nitrida GaN, CAS 25617-97-4, massa molekul 83,73, struktur kristal wurtzite, adalah senyawa biner semikonduktor celah pita langsung dari grup III-V yang ditumbuhkan dengan metode proses amonothermal yang sangat berkembang.Dicirikan oleh kualitas kristal yang sempurna, konduktivitas termal yang tinggi, mobilitas elektron yang tinggi, medan listrik kritis yang tinggi, dan celah pita yang lebar, Gallium Nitrida GaN memiliki karakteristik yang diinginkan dalam aplikasi optoelektronika dan penginderaan.

Aplikasi

Gallium Nitrida GaN cocok untuk produksi komponen LED dioda pemancar cahaya terang berkecepatan tinggi dan berkapasitas tinggi, perangkat laser dan optoelektronik seperti laser hijau dan biru, produk transistor mobilitas elektron tinggi (HEMTs) dan dalam daya tinggi dan industri manufaktur perangkat suhu tinggi.

Pengiriman

Gallium Nitrida GaN di Western Minmetals (SC) Corporation dapat disediakan dalam ukuran wafer melingkar 2 inci ” atau 4 ” (50mm, 100mm) dan wafer persegi 10×10 atau 10×5 mm.Setiap ukuran dan spesifikasi yang disesuaikan adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.

Kirim sekarang

rincian

Tag

Spesifikasi teknis

Gallium Nitrida GaN

Gallium Nitrida GaNdi Western Minmetals (SC) Corporation dapat disediakan dalam ukuran wafer melingkar 2 inci” atau 4” (50mm, 100mm) dan wafer persegi 10×10 atau 10×5 mm.Setiap ukuran dan spesifikasi yang disesuaikan adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.

Tidak.	item	Spesifikasi Standar
1	Membentuk	Bundar	Bundar	Kotak
2	Ukuran	2"	4"	--
3	Diameter mm	50.8±0.5	100±0,5	--
4	Panjang Sisi mm	--	--	10x10 atau 10x5
5	Metode Pertumbuhan	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientasi	C-pesawat (0001)	C-pesawat (0001)	C-pesawat (0001)
7	Jenis Konduktivitas	N-type/Si-doped, Un-doped, Semi-isolasi
8	Resistivitas -cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Ketebalan m	350±25	350±25	350±25
10	TTV m maks	15	15	15
11	Busur m maks	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Permukaan Selesai	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Kekasaran Permukaan	Depan: 0.2nm, Belakang: 0.5-1.5μm atau 0.2nm
15	Sedang mengemas	Wafer wafer tunggal disegel dalam tas Aluminium.

Rumus Linier	GaN
Berat molekul	83,73
Struktur kristal	Campuran seng/Wurtzite
Penampilan	Padat tembus cahaya
Titik lebur	2500 °C
Titik didih	T/A
Kepadatan pada 300K	6,15 g/cm³
Kesenjangan Energi	(3.2-3.29) eV pada 300K
Resistivitas intrinsik	>1E8 -cm
Nomor CAS	25617-97-4
Nomor EC	247-129-0

Gallium Nitrida GaNcocok untuk produksi komponen LED dioda pemancar cahaya terang berkecepatan tinggi dan berkapasitas tinggi, perangkat laser dan optoelektronik seperti laser hijau dan biru, produk transistor mobilitas elektron tinggi (HEMTs) dan dalam daya tinggi dan tinggi industri manufaktur perangkat suhu.