Gallium Arsenide GaAs

Keterangan

Gallium ArsenidaGaAs adalah semikonduktor senyawa celah pita langsung golongan III-V yang disintesis oleh setidaknya 6N 7N unsur galium dan arsenik dengan kemurnian tinggi, dan kristal yang ditumbuhkan dengan proses VGF atau LEC dari galium arsenida polikristalin kemurnian tinggi, penampakan warna abu-abu, kristal kubik dengan struktur campuran seng.Dengan doping karbon, silikon, telurium atau seng untuk mendapatkan konduktivitas tipe-n atau tipe-p dan semi-isolasi masing-masing, kristal InAs silinder dapat diiris dan dibuat menjadi blanko dan wafer dalam bentuk as-cut, etsa, poles atau epi -siap untuk pertumbuhan epitaksi MBE atau MOCVD.Wafer Gallium Arsenide terutama digunakan untuk membuat perangkat elektronik seperti dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, jendela optik, transistor efek medan FET, IC digital linier dan sel surya.Komponen GaAs berguna dalam frekuensi radio ultra-tinggi dan aplikasi switching elektronik cepat, aplikasi amplifikasi sinyal lemah.Selanjutnya, substrat Gallium Arsenide adalah bahan yang ideal untuk pembuatan komponen RF, frekuensi gelombang mikro dan IC monolitik, dan perangkat LED dalam komunikasi optik dan sistem kontrol untuk mobilitas ruang jenuh, daya tinggi, dan stabilitas suhu.

Pengiriman

Gallium Arsenide GaAs di Western Minmetals (SC) Corporation dapat dipasok sebagai gumpalan polikristalin atau wafer kristal tunggal dalam wafer as-cut, etsa, poles, atau epi-siap dalam ukuran 2” 3” 4” dan 6” (50mm, 75mm, 100mm, 150mm), dengan konduktivitas tipe-p, tipe-n atau semi-isolasi, dan orientasi <111> atau <100>.Spesifikasi yang disesuaikan adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.

Kirim sekarang

rincian

Tag

Spesifikasi teknis

Gallium Arsenida

GaAs

Gallium Arsenide GaAswafer terutama digunakan untuk membuat perangkat elektronik seperti dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, jendela optik, transistor efek medan FET, IC digital linier dan sel surya.Komponen GaAs berguna dalam frekuensi radio ultra-tinggi dan aplikasi switching elektronik cepat, aplikasi amplifikasi sinyal lemah.Selanjutnya, substrat Gallium Arsenide adalah bahan yang ideal untuk pembuatan komponen RF, frekuensi gelombang mikro dan IC monolitik, dan perangkat LED dalam komunikasi optik dan sistem kontrol untuk mobilitas ruang jenuh, daya tinggi, dan stabilitas suhu.

Tidak.	item	Spesifikasi Standar
1	Ukuran	2"	3"	4"	6"
2	Diameter mm	50.8±0.3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Metode Pertumbuhan	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Jenis Konduktivitas	N-Type/Si atau Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	Orientasi	(100) ± 0,5 °	(100) ± 0,5 °	(100) ± 0,5 °	(100) ± 0,5 °
6	Ketebalan m	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientasi Datar mm	17±1	22±1	32±1	Takik
8	Identifikasi Datar mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Resistivitas -cm	(1-9)E(-3) untuk tipe-p atau tipe-n, (1-10)E8 untuk semi-isolasi
10	Mobilitas cm2/vs	50-120 untuk tipe-p, (1-2.5)E3 untuk tipe-n, 4000 untuk semi-isolasi
11	Konsentrasi Pembawa cm-3	(5-50)E18 untuk tipe-p, (0.8-4)E18 untuk tipe-n
12	TTV m maks	10	10	10	10
13	Busur m maks	30	30	30	30
14	Warp m maks	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Permukaan Selesai	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Sedang mengemas	Wafer wafer tunggal disegel dalam tas komposit aluminium.
18	Catatan	Wafer GaAs kelas mekanis juga tersedia berdasarkan permintaan.

Rumus Linier	GaAs
Berat molekul	144.64
Struktur kristal	Campuran seng
Penampilan	Padatan kristal abu-abu
Titik lebur	1400 °C, 2500 °F
Titik didih	T/A
Kepadatan pada 300K	5,32 g/cm³
Kesenjangan Energi	1,424 eV
Resistivitas intrinsik	3.3E8 -cm
Nomor CAS	1303-00-0
Nomor EC	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsdi Western Minmetals (SC) Corporation dapat disuplai sebagai gumpalan polikristalin atau wafer kristal tunggal dalam wafer yang dipotong, diukir, dipoles, atau siap pakai dalam ukuran 2” 3” 4” dan 6” (50mm, 75mm, 100mm , 150mm), dengan konduktivitas tipe-p, tipe-n atau semi-isolasi, dan orientasi <111> atau <100>.Spesifikasi yang disesuaikan adalah untuk solusi sempurna bagi pelanggan kami di seluruh dunia.