Wafer silikon FZ

Keterangan

FZ Wafer Silikon Kristal Tunggal,Float-zone (FZ) Silicon adalah silikon yang sangat murni dengan konsentrasi oksigen dan pengotor karbon yang sangat rendah yang ditarik oleh teknologi pemurnian zona terapung vertikal.FZ Floating zone adalah metode pertumbuhan ingot kristal tunggal yang berbeda dari metode CZ di mana kristal benih dipasang di bawah ingot silikon polikristalin, dan batas antara kristal benih dan silikon kristal polikristalin dilebur dengan pemanasan induksi koil RF untuk kristalisasi tunggal.Kumparan RF dan zona leleh bergerak ke atas, dan satu kristal membeku di atas kristal benih yang sesuai.Silikon zona apung dipastikan dengan distribusi dopan yang seragam, variasi resistivitas yang lebih rendah, membatasi jumlah pengotor, masa pakai pembawa yang cukup besar, target resistivitas tinggi dan silikon dengan kemurnian tinggi.Silikon zona apung adalah alternatif dengan kemurnian tinggi untuk kristal yang ditumbuhkan melalui proses Czochralski CZ.Dengan karakteristik metode ini, FZ Single Crystal Silicon sangat ideal untuk digunakan dalam fabrikasi perangkat elektronik, seperti dioda, thyristor, IGBT, MEMS, dioda, perangkat RF dan MOSFET daya, atau sebagai substrat untuk partikel resolusi tinggi atau detektor optik. , perangkat daya dan sensor, sel surya efisiensi tinggi dll.

Pengiriman

FZ Single Crystal Silicon Wafer konduktivitas tipe-N dan tipe-P di Western Minmetals (SC) Corporation dapat dikirim dalam ukuran 2, 3, 4, 6 dan 8 inci (50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm dan 200mm) dan orientasi <100>, <110>, <111> dengan permukaan akhir As-cut, Lapped, etsa dan poles dalam kemasan kotak busa atau kaset dengan kotak karton luar.

Kirim sekarang

rincian

Tag

Spesifikasi teknis

Wafer silikon FZ

FZ Wafer Silikon Kristal Tunggalatau FZ Mono-crystal Silicon Wafer dengan konduktivitas intrinsik, tipe-n dan tipe-p di Western Minmetals (SC) Corporation dapat dikirim dalam berbagai ukuran diameter 2, 3, 4, 6 dan 8 inci (50mm, 75mm, 100mm) , 125mm, 150mm dan 200mm) dan berbagai ketebalan dari 279um hingga 2000um dalam orientasi <100>, <110>, <111> dengan permukaan akhir as-cut, lapped, etch dan polished dalam kemasan kotak busa atau kaset dengan kotak karton di luar.

Tidak.	item	Spesifikasi Standar
1	Ukuran	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diameter mm	50.8±0.3	76,2±0,3	100±0,5	125 ± 0,5	150±0,5
3	Daya konduksi	T/P	T/P	T/P	T/P	T/P
4	Orientasi	<100>, <110>, <111>
5	Ketebalan m	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 atau sesuai kebutuhan
6	Resistivitas -cm	1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 atau sesuai kebutuhan
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	TTV m maks	10	10	10	10	10
9	Busur/Warp m maks	30	30	30	30	30
10	Permukaan Selesai	As-cut, L/L, P/E, P/P
11	Sedang mengemas	Kotak busa atau kaset di dalam, kotak karton di luar.

Simbol	Si
Nomor atom	14
Berat Atom	28.09
Kategori Elemen	Metaloid
Grup, Periode, Blok	14, 3, P
Struktur kristal	berlian
Warna	Abu-abu gelap
Titik lebur	1414°C, 1687,15 K
Titik didih	3265 °C, 3538,15 K
Kepadatan pada 300K	2,329 g/cm³
Resistivitas intrinsik	3.2E5 -cm
Nomor CAS	7440-21-3
Nomor EC	231-130-8

FZ Silikon Kristal Tunggal, dengan karakteristik terpenting dari metode Float-zone (FZ), sangat ideal untuk digunakan dalam fabrikasi perangkat elektronik, seperti dioda, thyristor, IGBT, MEMS, dioda, perangkat RF dan MOSFET daya, atau sebagai substrat untuk resolusi tinggi partikel atau detektor optik, perangkat dan sensor daya, sel surya efisiensi tinggi, dll.